Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA70N15

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA70N15

FQA70N15 Hakkında

FQA70N15, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sunar. TO-3P-3 (SC-65-3) kılıfında sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 330W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V drive voltajında çalışır ve 175nC gate charge karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-3PN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok