Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA6N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA6N90C
FQA6N90C-F109 Hakkında
FQA6N90C-F109, onsemi tarafından üretilen 900V yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipi ile through-hole montajı destekler. 2.3Ω maksimum RDS(on) değeriyle verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, enerji dönüşüm sistemleri, invertörler, motorlu uygulamalar ve yüksek voltaj güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 40nC gate charge ve 1770pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok