Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA6N90
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA6N90
FQA6N90 Hakkında
FQA6N90, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P pakette sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 6.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde kullanılır. Maksimum 1.9Ω RDS(on) değeri ile verimliliği optimize eder. ±30V gate-source voltaj aralığı ve 52nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarına uyumludur. Bileşen piyasada artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok