Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA6N90_F109
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA6N90
FQA6N90_F109 Hakkında
FQA6N90_F109, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 6.4A sürekli dren akımı ve 1.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. Yüksek voltaj işlemlerinde anahtarlama ve kontrol görevlerini yerine getirir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma sağlar. Maksimum 198W güç tüketebilen cihaz, 52nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok