Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA6N80_F109
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA6N80
FQA6N80_F109 Hakkında
FQA6N80_F109, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paket tipi ile sunulan bu bileşen, 6.3A sürekli drenaj akımı ve 1.95Ω maksimum RDS(on) değeriyle çalışır. 10V kapı sürüş voltajında çalışan transistör, 31nC gate charge ve 1500pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. Maksimum 185W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, invertör tasarımları ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, ±30V gate-source voltajına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 185W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 3.15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok