Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA6N80
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA6N80
FQA6N80 Hakkında
FQA6N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source voltaj ve 6.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 185W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 1.95Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge özelliği hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 185W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 3.15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok