Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA6N70

MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA6N70

FQA6N70 Hakkında

FQA6N70, onsemi tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 6.4A sürekli dren akımı ve 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, elektrik motor kontrolü uygulamalarında ve endüstriyel güç elektroniği sistemlerinde yer almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan komponent, 152W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile tasarlanmıştır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB uygulamalarında kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok