Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA6N70
MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA6N70
FQA6N70 Hakkında
FQA6N70, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source voltaj kapasitesi ve 6.4A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 40nC ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. ±30V gate-source voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında uzun süreli işletilmeye uygundur. İktidar disipasyonu 152W ile AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Üretimi sonlandırılmış olsa da, mühendislik arşivleri ve yedek parça ihtiyaçları için bulunabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 152W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok