Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA65N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA65N20
FQA65N20 Hakkında
FQA65N20, Rochester Electronics tarafından üretilen 200V rated N-Channel Power MOSFET transistördür. 65A sürekli drain akımı ve 32mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 310W güç yayımlama kapasitesine sahiptir. Through-hole montajı ile PCB tasarımı kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok