Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA65N20

FQA65N20 Hakkında

FQA65N20, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source voltaj ve 65A kontinyu drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde monte edilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri ve endüstriyel güç kontrol devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 310W güç dağıtabilir. ±30V gate voltajı ile kontrol edilebilir, 10V drive voltajında çalıştırılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok