Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA5N90

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA5N90

FQA5N90 Hakkında

FQA5N90, onsemi tarafından üretilen 900V yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 5.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 2.3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 185W güç dağıtma yeteneği ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, inverter devreler, motor kontrol sistemleri ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücülerde yer alabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmasını sağlar. ±30V gate-source voltajı ve 10V drive voltajı ile endüstriyel uygulamalar için uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 185W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok