Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA5N90_F109
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA5N90
FQA5N90_F109 Hakkında
FQA5N90_F109, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.3Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, sürücü uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 40nC gate charge ve 1550pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 185W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok