Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA5N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA5N90
FQA5N90 Hakkında
FQA5N90, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj ve 5.8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 2.3Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-3P paket tipi ile through-hole montajına uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 185W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle entegre devrelerde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge 40nC ile hızlı komutasyon özelliği vardır. Eski üretim (obsolete) ürün olup, eşdeğer modern bileşenlerin kullanımı önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 185W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok