Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA55N25
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA55N25
FQA55N25 Hakkında
FQA55N25, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltajı ve 55A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel invertörler ve anahtarlama uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. 40mΩ maksimum on-state direnci ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. 310W maksimum güç tüketimi ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli devre tasarımına imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok