Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA55N10
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA55N10
FQA55N10 Hakkında
FQA55N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source geriliminde 61A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 26mOhm (10V Vgs'de) on-resistance değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrol devreleri, inverter ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 190W güç dağıtabilir. 98nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 30.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok