Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA38N30
38.4A, 300V, N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA38N30
FQA38N30 Hakkında
FQA38N30, Rochester Electronics tarafından üretilen 300V drain-source gerilim ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 38.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 85mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 290W maksimum güç dağıtabilir. Motor kontrol, güç kaynağı tasarımları, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürüm gerilimi ile düşük geçiş gecikmesi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 19.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok