Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA35N40
MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA35N40
FQA35N40 Hakkında
FQA35N40, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source voltaj ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-3P paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 310W güç disipasyonu kapasitesi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli işlem yapabilir. Gate charge değeri 140nC olup 10V sürme voltajında etkinleştirilmek üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok