Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA34N25

MOSFET N-CH 250V 34A TO3P

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA34N25

FQA34N25 Hakkında

FQA34N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 34A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 245W güç tüketebilir. 80nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Giriş kapasitanası 2750pF'dir. Kendi tasarımlarında kullanmadan önce datasheet dosyasını inceleyiniz.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok