Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA34N20

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA34N20

FQA34N20 Hakkında

FQA34N20, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilim ve 34A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürülme geriliminde 75mΩ maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 210W güç dağıtabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve invertör tasarımlarında kullanım alanı vardır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB'lere entegrasyonu destekler. Parça obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok