Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA33N10L
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA33N10L
FQA33N10L Hakkında
FQA33N10L, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drain akımı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sağlanan bu transistör, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarına uygun olabilir. 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Through-hole montajı ile DIP tasarımlara entegre edilebilir. Ürün durumu: Obsolete.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 163W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok