Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA28N50F
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA28N50F
FQA28N50F Hakkında
FQA28N50F, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 28.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipinde through-hole montaja uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate drive voltajında 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. 310W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 14.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok