Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA19N60
MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA19N60
FQA19N60 Hakkında
FQA19N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 18.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu transistör, 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, maksimum 300W güç yayılımına toleranstır. 10V gate sürüş gerilimi ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok