Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA19N20C
MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA19N20C
FQA19N20C Hakkında
FQA19N20C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 21.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 170mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FQA19N20C, endüstriyel kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerinde uygulanır. 180W maksimum güç dağıtımı yeteneği ve düşük kapı yükü (53nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 10.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok