Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA18N50V2
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA18N50V2
FQA18N50V2 Hakkında
FQA18N50V2, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlama işlevini gerçekleştirir. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve yüksek voltaj inverter tasarımlarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 265mΩ maksimum RDS(on) direnci ve 55nC maksimum gate yükü ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar. Maksimum 277W güç disipasyonu kapasitesi sayesinde yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu bileşen üretimden kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 277W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok