Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA18N50V2
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA18N50V2
FQA18N50V2 Hakkında
FQA18N50V2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer bulur. 265mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 10V gate sürü gerilimi altında çalışır, maksimum gate gerilimi ±30V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, 277W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Dikkat: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 277W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok