Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA17P10
MOSFET P-CH 100V 18A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA17P10
FQA17P10 Hakkında
FQA17P10, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 120W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 39nC olarak belirtilmiştir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj özelliği sayesinde PCB tasarımında kolaylık sağlar. Bileşen, artık üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok