Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA16N50
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA16N50
FQA16N50 Hakkında
FQA16N50, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürme geriliminde 320mOhm maksimum on-direnci ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli kullanım sağlar. 200W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer bulur. Kısıtlı yapılabilirlik nedeniyle yeni tasarımlarda modern alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok