Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA16N50
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA16N50
FQA16N50 Hakkında
FQA16N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-3P paketlemesi ile Through Hole montajı destekler. 320mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 75nC'dir. Maksimum 200W güç tüketebilen bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektrik sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vgs(th) eşik gerilimi 5V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok