Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA16N25C

MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA16N25C

FQA16N25C Hakkında

FQA16N25C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 17.8A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 270mOhm maksimum Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını azaltır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç elektronikleri ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 180W maksimum güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır. Gate charge değeri 53.5nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için uygundur. Maksimum gate gerilimi ±30V'tir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok