Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA16N25C
MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA16N25C
FQA16N25C Hakkında
FQA16N25C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 17.8A sürekli dren akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürüş geriliminde 270mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 53.5nC gate charge ve 1080pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 180W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Through-hole montajı destekler ve yüksek gerilim SMPS devreleri, motor sürücüleri ve güç dönüştürücü tasarımlarında kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok