Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA15N70

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA15N70

FQA15N70 Hakkında

FQA15N70, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 700V Drain-Source gerilim, 15A sürekli drain akımı ve 300W maksimum güç tüketimine sahip olup, 560mOhm (10V/7.5A) Rds(On) değeri ile uygulamalarda düşük ısıl kayıp sağlar. Gate Charge 90nC @ 10V olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-3P-3 (SC-65-3) Through Hole paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç denetim, inverter devreleri, motor kontrol ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş bir uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3630 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok