Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA14N30

MOSFET N-CH 300V 15A TO3P

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA14N30

FQA14N30 Hakkında

FQA14N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V Drain-Source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipi ile Through Hole montajını destekler. 290mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç amplifikatörleri, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 160W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve profesyonel elektronik sistemlerde yer alır. Gate şarj miktarı 40nC'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok