Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA13N80-F109
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA13N80
FQA13N80-F109 Hakkında
FQA13N80-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 12.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 750mOhm Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. TO-3P paket tipinde through-hole montajına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok