Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA13N80
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA13N80
FQA13N80 Hakkında
FQA13N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 12.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paket tipi ile Through Hole montajını destekler. 10V gate sürücü geriliminde 750mΩ Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 300W güç dağılımını tolere eder. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek gerilim uygulamalarında yer alır. Gate charge değeri 88nC (@10V) olup hızlı anahtarlamaya uygundur. Ürün durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok