Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA13N50CF
FQA13N50CF_F109 Hakkında
FQA13N50CF_F109, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç kaybı 218W olup, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 480mΩ (10V, 7.5A) RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrolü ve endüstriyel elektronik devrelerde tercih edilir. Onsemi tarafından üretilmesine rağmen güncel üretimde kullanılmamaktadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 218W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok