Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA13N50C-F109

MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA13N50C

FQA13N50C-F109 Hakkında

FQA13N50C-F109, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi (Vdss) ve 13.5A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun bir transistördir. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, UPS sistemleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak kullanılır. 480mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli işletme sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 56nC gate charge ve 2055pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uyumludur. Through-hole montaj tipi ile eski nesil ve güç uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 218W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 6.75A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok