Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA13N50C-F109
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA13N50C
FQA13N50C-F109 Hakkında
FQA13N50C-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 13.5A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu komponentin maksimum gate charge değeri 56 nC olup, 480 mOhm On-state direnci bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 218W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile yüksek akım işleyen uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 218W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok