Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA13N50
MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA13N50
FQA13N50 Hakkında
FQA13N50, onsemi tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 13.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 190W güç disipasyonu ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Drain-Source gerilimi 500V ile endüstriyel güç denetim, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. RDS(on) değeri 430mΩ (10V, 6.7A koşullarında) ile verimliliği sağlar. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. Eski üretim (Obsolete) parça olup, yeni tasarımlarda yerini yeni nesil MOSFETlere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 6.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok