Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA12N60

MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA12N60

FQA12N60 Hakkında

FQA12N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 700mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda yerine konabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok