Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA12N60
FQA12N60 Hakkında
FQA12N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maximum 240W güç harcaması kapasitesine sahiptir. 10V gate drive voltajında 700mOhm on-state direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate Charge karakteristiği 54nC'dir. NOT: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok