Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA11N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA11N90C
FQA11N90C-F109 Hakkında
FQA11N90C-F109, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve elektrik dönüştürme uygulamalarında yer alır. TO-3P paketinde gelen komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. Through-hole montaj tipiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok