Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA11N90
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA11N90
FQA11N90 Hakkında
FQA11N90, onsemi tarafından üretilen 900V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 11.4A sürekli drenaj akımı ve 960mΩ maksimum on-resistance değerleri ile çalışır. 10V gate sürüş voltajı ile kontrol edilebilen FQA11N90, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve yüksek voltaj güç elektroniği sistemlerinde kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. 300W maksimum güç harcaması ile hassas tasarımlarda tercih edilen bir bileşendir. Lütfen updating datasheet belgelerine başvurunuz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok