Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA11N90-F109
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA11N90
FQA11N90-F109 Hakkında
FQA11N90-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11.4A sürekli drain akımı ve 300W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 960mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ve 94nC gate charge özellikleriyle düşük anahtarlama kaybı sağlar. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürme devreleri, endüstriyel sürücü devreler ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. ±30V gate-source gerilim kapasitesiyle geniş kontrol aralığı imkanı tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok