Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA11N90
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA11N90
FQA11N90 Hakkında
FQA11N90, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 11.4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 10V gate sürüş voltajında 960mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 94nC gate yükü ve 3500pF input kapasitansı ile karakterize edilen bu transistör, anahtarlama hızı ve kontrol özellikleri açısından hassas uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 300W güç dağıtabilir. MOSFET teknolojisine dayalı bu komponent, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, yüksek voltaj anahtarlama ve elektrik yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. TO3P montajı through-hole PCB tasarımlarında kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok