Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA10N80C
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA10N80C
FQA10N80C Hakkında
FQA10N80C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı özelliklerine sahiptir. TO-3P paketlemesinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirir. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 240W güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler, switched-mode güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır. Bileşen kullanımdan kaldırılmış durumda olmasına rağmen, mevcut stoklar kısıtlı uygulamalarda tedarik edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok