Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA10N60C
MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA10N60C
FQA10N60C Hakkında
FQA10N60C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, özellikle motor kontrolü, güç kaynakları ve indüktif yükler için tasarlanmıştır. 730mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı nedeniyle PCB'ye kolay entegrasyonu mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok