Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FJ4B01120L1
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
- Üretici
- Panasonic
- Paket/Kılıf
- 4-XFLGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FJ4B01120L1
FJ4B01120L1 Hakkında
FJ4B01120L1, Panasonic tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ile 2.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 51mΩ RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Surface mount ULGA004-W-1010-RA01 paketinde tedarik edilir. -40°C ile +85°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 370mW maksimum güç tüketimi ile kompakt uygulamalara uygundir. Analog anahtarlama, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde kullanıma uygundur. Düşük gate charge (10.7nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 814 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Package / Case | 4-XFLGA, CSP |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ULGA004-W-1010-RA01 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok