Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FJ4B01100L1
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
- Üretici
- Panasonic
- Paket/Kılıf
- 4-XFLGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FJ4B01100L1
FJ4B01100L1 Hakkında
FJ4B01100L1, Panasonic tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 74mOhm on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount XLGA004 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 85°C arasında çalışan kompakt tasarımı sayesinde güç yönetimi, motor kontrolü ve gerilim regülatör devrelerinde tercih edilir. Maksimum 360mW güç tüketim özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 459 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Package / Case | 4-XFLGA, CSP |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | XLGA004-W-0808-RA01 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok