Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ663P
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ663P
FDZ663P Hakkında
FDZ663P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj ve 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate voltajında 134mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 4-XFBGA (WLCSP) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve genel anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 525 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 134mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-WLCSP (0.8x0.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok