Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDZ451PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDZ451
FDZ451PZ Hakkında
FDZ451PZ, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Düşük sinyal uygulamaları için tasarlanmış bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 20V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 2.6A sürekli dren akımı ile elektronik kontrol, motor sürücü devreleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlamada uygulanabilir. 4-WLCSP yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlara uygundir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük gating kapasitansi (555pF) ve 140mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, WLCSP |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-WLCSP (0.8x0.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok